三星罢工箭在弦上，内存暴涨周期或将延长

随着三星电子DS（半导体）部门罢工前景逐步明朗化，此次劳资风险将成为推动DRAM和NAND闪存价格进一步暴涨的二次催化剂。

市场调研机构此前预测，今年第二季度内存合同价格将创下历史最大涨幅。罢工这一供应风险恰与价格峰值期重叠，可能使市场所受冲击幅度超出预期。

此前国内外市场调研机构及投资银行普遍预测，DRAM和NAND闪存价格将在今年第三季度达到峰值后，于第四季度逐步趋于稳定。但随着三星电子劳资谈判破裂引发的罢工风险升级，这一预期正面临新的变数。

日前三星电子已向客户发出通知，上调DRAM及NAND闪存产品的供货价格，涨幅约为10%至20%。这是三星电子继今年一季度宣布涨价之后的第二次价格上调，也是今年内的第二次大幅提价。

三星电子半导体子公司已向合作供应商发函，宣布将在现有合同框架内进一步收缩供货量，部分AI客户及PC整机厂商的配额或受到影响。业内人士指出，苹果、惠普等品牌已开始与三星以外的供应商洽谈备货，以规避价格和供给风险。

三星电子内部人士向《朝鲜日报》表示："受HBM（高带宽内存）需求激增影响，通用型DRAM的可用产能受到严重挤压，整体供应趋于紧张。"分析人士认为，DRAM和NAND产品的价格仍有进一步上涨空间，将成为三星电子提升营业利润的另一重要推手。

与此同时，三星电子位于平泽的第三座半导体工厂建设进度滞后的问题再度引发关注。原本计划通过P3工厂扩大先进内存产能，但受施工延迟等因素影响，量产时间节点存在不确定性，令市场对中期供给补充能力产生疑虑。

受内存价格暴涨波及，PC和服务器整机厂商成本压力骤增。据悉，部分厂商已启动产品涨价预案，将内存采购成本上涨幅度的30%至40%转嫁至终端售价，预计将对今年下半年的PC市场需求复苏产生一定抑制。

KB证券分析师指出，三星电子第二季度营业利润有望环比增长30%至40%，DRAM及NAND价格上涨是主要贡献因子。但与此同时，若价格持续高位，将对消费市场形成需求抑制，进而影响出货量增长，两者之间的动态平衡将是下半年业绩能否超预期的关键。

综合多家机构预测，DRAM合约价格在今年第二、三季度有望维持高位，主要支撑来自AI基础设施建设需求的持续扩大。SK海力士方面亦于近期表示，HBM3E及HBM4产品均已获得大客户的长期订单锁定，未来12个月内产能利用率将维持在高位。

TrendForce数据显示，今年Q2全球DRAM均价环比涨幅预计在13%至18%区间，NAND闪存价格亦有望实现3%至6%的温和回升。