中国科学院用DUV光刻机探出3nm以下芯片制程路径
nashnova research
中科院微电子所用现有DUV光刻设备完成了3nm以下GAA晶体管的早期集成，在EUV被禁售的背景下，初步走通一条替代制程路线——但离量产仍有很远的路要走。
他们到底做出了什么？
中科院微电子所完成了堆叠纳米片GAA晶体管（一种把多层极薄硅片叠起来、让栅极从四面包住沟道的新结构）的早期集成。
关键在于：这次用的不是EUV光刻机，而是现有的DUV设备。这意味着→ 整条工艺路线绕开了中国买不到的EUV设备。
研究员叶甜春将其定义为"中国3nm以下先进制造的全新早期MOS晶体管工艺路径"。
为什么要绕开EUV？
EUV光刻机（用极紫外光在芯片上刻电路的设备）由荷兰ASML独家制造，是生产7nm以下芯片的关键工具。
美国出口管制已禁止ASML向中国客户销售EUV设备。用大白话说＝ 走常规路线，中国企业在7nm以下基本被卡住。
中科院这条路线的目标很明确：用手里有的设备，做出原本需要EUV才能做的器件。
这个成果离量产还有多远？
目前仍处于早期阶段——完成的是器件级集成，不是可以交给工厂跑的完整制程方案。
这意味着→ 从"做出晶体管"到"稳定量产芯片"之间，还有良率、可靠性、成本等一系列工程问题要解决。
这反映出中国在替代路线上取得了方向性进展，但能否转化为实际产能，仍是一个未验证的关键节点。
市场有风险，内容仅供研究参考，不构成投资建议。