花旗：AI持续学习驱动HBM/服务器DRAM/eSSD需求短缺延续至2031年

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花旗最新报告预计，AI「持续学习」模式将令HBM、服务器DRAM、企业级SSD三条存储线同时吃紧，供应缺口可能在2028年进一步加剧并延续至2031年——存储行业正从短周期补库存切换为结构性需求驱动。

"持续学习"是什么，为什么它比训练更吃存储？

持续学习（让AI模型一边吸收新数据、一边保留旧知识的运行方式）的最大难题是避免「灾难性遗忘」——模型学了新的就忘了旧的。

这意味着→ 模型必须同时保存新旧两份数据，对计算和存储的消耗远高于一次性训练。

花旗认为这一模式将成为未来五年AI发展的关键主题，直接拉动HBM、DRAM、eSSD三条线的需求。

花旗预计2027年HBM需求同比增长62%至752亿Gb，2028年再增69%至1270亿Gb——约为此前预测的两倍。

需求增量不止来自英伟达，博通、谷歌等ASIC芯片（专为特定任务定制的AI芯片）也将成为重要来源。

供给端跟不上：2027年供应缺口约21%，2028年随ASIC出货放量，缺口可能扩大至约36%。

近期市场热议的HBM"降规格"现象，花旗解读为供应不足下提高资源效率的应对方式，而非需求疲软信号。用大白话说＝不是不想用高规格，是高规格根本不够用，只能先用低规格顶上。

花旗预计2027年服务器DRAM需求同比增长约51%，届时服务器将贡献全球DRAM需求的约67%。

当部分KV Cache（AI推理时缓存中间结果的内存区域）等工作负载从HBM向服务器DRAM卸载时，反而进一步推高了DRAM和eSSD的需求。

这反映出 AI存储需求并非在各层级间"此消彼长"，而是总量持续膨胀，每一层都在变得更紧张。

花旗还指出，存储客户正将长期供应协议从三年延长至五年——这意味着→ 市场对未来多年存储需求的信心正在提高。

花旗预计2027年企业级SSD需求同比增长52.9%，高于整体SSD约45%的增速。

核心驱动力是KV Cache卸载：AI加速器降低HBM配置后，越来越多工作负载转移至外部存储，高容量QLC企业级SSD（用四层存储单元实现更大容量的固态硬盘）有望获得更多需求。

此外，包括中国在内的AI数据中心正考虑以SSD替代HDD，可能从2027年起进一步扩大eSSD市场空间。

NAND供需同样趋紧：2027年供应缺口约6.1%，主因存储厂商优先扩产DRAM和HBM，挤压了NAND新增产能。

花旗预计全球DRAM和NAND资本开支将从2026年的约549亿美元增至2027年的804亿美元，同比增长46.5%。

其中DRAM资本开支预计达586亿美元（同比+51.6%），NAND达218亿美元（同比+34.2%）；到2031年合计可能达到约3225亿美元。

价格方面，2026年DRAM综合均价大涨242.4%之后，2027年仍可能同比上涨23.1%。

这意味着→ 存储行业的利润周期大概率会比过去更长——因为这一轮的驱动力不是手机、PC补库存，而是AI架构的结构性变化。

存储领域首选：三星电子、SK海力士、美光科技、闪迪、铠侠。

设备及材料领域看好：澜起科技、应用材料、泛林集团、TES、Eugene Technology、TechWing。

花旗判断，本轮存储周期已从传统短周期转向AI驱动的结构性需求周期。

用大白话说＝花旗把赌注押在了"AI存储缺口会持续多年"上——这一判断能否成立，2027至2028年的实际出货数据就是最关键的验证节点。

市场有风险，内容仅供研究参考，不构成投资建议。