中信证券：金刚石散热2026年进入产业化元年
nashnova research
中信证券研报判断，AI芯片功耗四年翻逾6倍，传统铜散热逼近物理极限，金刚石散热有望2026年进入产业化元年，2030年全球市场规模可达1150亿元。
AI芯片的热量问题到底有多严峻？
英伟达芯片功耗从Hopper的700W一路升至Rubin的约1800W，下一代Feynman预计达4400W——四年提升逾6倍。
芯片局部热流密度已突破500W/cm²，正向1000W/cm²演进。这意味着→ 芯片表面单位面积的发热量正在逼近传统材料能带走的上限。
铜的热导率约400W/(m·K)，而金刚石达2000—2200W/(m·K)，约为铜的5倍。用大白话说＝ 铜已经"散不动"了，金刚石是目前唯一能接班的材料。
1150亿的市场空间怎么算出来的？
中信证券测算，AI芯片的盖板、热沉片（把芯片热量导出的金属底座）、冷板及光模块将逐步用金刚石替代金属散热材料。
预计到2030年，金刚石散热全球市场空间达1150亿元，2027—2030年复合年均增长率约143%。
这反映出 市场押注的不是"金刚石比铜好"这个已知事实，而是"制造成本降到能批量用"这个拐点即将到来。
金刚石材料本身走到哪一步了？
金刚石正沿"磨料级→宝石级→电子级"三级升级。当前工业级产值占60%，散热级占22.6%，价值重心加速向功能级迁移。
中国人造金刚石产量全球市占率约90%，已形成全球最大的散热级产能储备。这意味着→ 原料端中国有绝对规模优势，但"能造"和"能用在芯片上"之间还有工艺差距。
研报判断2026年将完成从送样验证到批量订单的跨越，多家公司标志性项目相继落地，行业进入商业化提速阶段。
竞争格局里谁领先、谁在追？
当前格局是Element Six主导，中日美竞合。海外厂商在单晶金刚石与界面热阻（TBR，芯片和散热材料接触面的热量传导损耗）控制方向领先。
中国厂商凭借多晶产能、复合工艺与低电力成本优势快速缩小差距。用大白话说＝ 中国赢在"量大、电便宜"，但精细工艺上还差一截。
中外差距最明显的环节是键合工艺（把金刚石片和芯片牢固贴合的技术）与界面热阻控制——这也是产业化逻辑能否按时兑现的核心验证节点。
成本和风险卡在哪里？
CVD散热级金刚石片（用化学气相沉积法造的散热用金刚石薄片）单价仍处"克级"区间，较铜铝热沉高出近一个量级。设备折旧与电力降本是关键路径。
MPCVD设备（微波等离子体化学气相沉积，造金刚石薄膜的核心装备）的大腔体与磁控管仍待突破。
研报列示的风险包括：客户验证与物料清单导入不及预期、产能集中释放压价、能源与设备成本高企、国际贸易与出口管制，以及碳化硅等替代材料的路线竞争。
中信证券建议怎么布局？
主线一：率先实现散热片小批量供货、装备自研与产能规模领跑的企业。
主线二：具备大尺寸制造与全产业链能力、且加速扩产布局的企业。
这意味着→ 中信的选股逻辑围绕两个字——"先发"：谁先把金刚石散热片卖给芯片厂、谁先把设备和产能跑起来，谁就占住了位置。
市场有风险，内容仅供研究参考，不构成投资建议。