长鑫存储HBM3E量产推进，美光受中国存储竞争压力持续

nashnova research

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长鑫存储已小批量投产HBM3E高带宽存储芯片，寒武纪与平头哥正在测试并计划明年用于自研处理器。这意味着→ 美光在中国AI芯片供应链中的市场空间正面临实质性收窄压力。

HBM3E是什么，长鑫存储做到了哪一步？

HBM3E（一种专为AI处理器设计的高带宽存储芯片，英伟达Blackwell GPU和谷歌最新TPU都在用它）——长鑫存储已开始小批量生产。

目前产品仅落后全球领先厂商一代，SK海力士2024年已量产同款芯片。

但整体HBM技术仍落后头部厂商三至五年，且良率偏低。用大白话说＝能做出来，但离大规模、高良率量产还有明显距离。

寒武纪和阿里巴巴旗下平头哥半导体正在测试长鑫存储的HBM产品，计划最早于明年用于自研处理器。

这意味着→ 这批订单的核心价值不在营收规模，而在于积累量产经验和客户反馈，为2027年扩产铺路。

政府通过税收优惠和补贴，为企业率先采用国产芯片承担了相当部分成本。这反映出国产替代在存储领域已进入"用真金白银换实战数据"的阶段。

美国2024年限制向中国出口先进HBM，低规格存储产品也须审批。长鑫存储的进展，一定程度上可缓解中国企业的供应瓶颈。

但同一套管制也限制了长鑫存储采购高端制造设备，直接制约产能天花板。

用大白话说＝出口管制既是长鑫存储获得国内市场的原因，也是它扩产最大的障碍——一把双刃剑。

公司此前上海上市，募资666亿元人民币，为中国史上第二大IPO，首日涨幅472%。

上半年营收同比增长近十倍至1503亿元人民币，净利润776亿元人民币，扭转上年同期亏损。

这意味着→ 长鑫存储手里有钱、有增长势头，但业绩公告未提及HBM进展——HBM尚未贡献可披露的营收。

长鑫存储目前是全球第四大DRAM生产商，巴伦周刊认为中国存储芯片对美光（MU）的竞争压力"不会消失"。

关键变量是长鑫存储能否在良率和设备约束下实现规模量产——这直接决定美光在中国AI供应链中的空间是否进一步收窄。

用大白话说＝短期内良率和设备是硬瓶颈，但方向已经明确：国产HBM从"能不能做"转向了"能做多少"。

市场有风险，内容仅供研究参考，不构成投资建议。