长鑫存储拟投340亿元扩研发与测试产能

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长鑫存储董事会批准349亿元（约52亿美元）双项目投资，上市不到三个月即大举扩张研发设备与自建测试产能，这意味着公司正把IPO超募资金快速转化为产能竞赛筹码。

349亿花在哪？

两个项目拆开看：241亿元用于技术研发，108亿元用于后端测试基地二期，均需股东大会通过。

研发项目落在合肥12英寸晶圆基地，建设周期约两年半；其中设备采购占93%（约224亿元）。这意味着→ 这笔钱几乎全部砸向买机器，不是盖厂房，核心目的是推进下一代DRAM工艺。

测试基地二期由子公司运营，建设周期约三年，将新建DRAM芯片测试和模组封装工厂，设备采购及安装费约81.8亿元。

长鑫存储IPO净募资663.1亿元，比原计划多了约368亿元——这次拟从超募部分拨180亿元（130亿研发+50亿测试），接近超募资金的一半。

用大白话说＝上市才不到三个月，超募的钱已经规划花掉将近一半，节奏非常快。

剩余资金缺口需靠经营现金流和其他渠道补足，上半年经营现金流1311.6亿元（同比增长约31倍），DRAM上行周期的盈利改善是底气所在。

合肥一期、合肥二期及北京产线建设进度均达96%–98%，接近收尾。

截至6月末，已签合同承诺余额524.4亿元，较2025年末的171.3亿元增长206.2%——在手合同规模三倍增长。

设备及工程预付款较2025年末增长234.4%至约40亿元。这意味着→ 大量设备订单已下但尚未到货，后续资本开支还会持续释放。

长鑫存储给出的理由：随着产品品类扩大和出货量提升，外部封测产能可能跟不上节奏。

自建测试产能的好处是三重的：掌控测试排期 + 降低成本 + 强化供应链安全。

这反映出中国DRAM厂商在外部封测资源受限的环境下，正加速向"制造+封测"一体化方向走。

三星电子高管金泰宇9月29日表示，预计到2027年HBM将占DRAM厂商晶圆总产能的近30%，高于目前约20%。

HBM（高带宽存储，专为AI芯片配套的高速内存）与标准DRAM共用同一条晶圆产线。这意味着→ HBM多吃一口产能，留给主流DRAM的就少一口，供给天然偏紧。

长鑫存储目前专注主流DRAM，上半年收入结构：LPDDR占52.0%，DDR占46.2%，与主要客户的长期供货协议谈判同步推进。

第五代DRAM技术平台G5已于今年9月进入量产，两款24Gb LPDDR5X产品同步量产。

关键指标：G5在归一化至8Gb密度时，每片晶圆的良品芯片数量较第四代提升至少50%。

用大白话说＝同样一片晶圆，用新工艺能多切出至少一半的合格芯片——直接拉低单位成本、提高产能利用率，这是市场评估长鑫存储竞争力的核心观测指标。

市场有风险，内容仅供研究参考，不构成投资建议。