高盛：中国先进芯片缺口2035年将从92%降至34%
Nashnova编辑部
高盛预测中国先进芯片供需缺口将从2025年的92%收窄至2035年的34%，核心驱动力是中芯国际的扩产与良率爬坡，但光刻设备瓶颈意味着完全自主在这十年内仍无法实现。
缺口怎么从92%缩到34%的？
高盛测算，7纳米及以下先进制程（能造高端手机芯片和AI芯片的工艺）的中国本土供应量，2025至2035年间年复合增长率达46%，远超同期需求增速17%。
到2035年，月供应量预计达41万片晶圆，月需求约61.9万片。供给追得快、需求涨得慢，缺口因此收窄。
这意味着→ 中国不是在"填满"需求，而是在缩小追不上的距离——十年后仍有近三分之一的先进芯片要靠外部供应。
中芯国际要怎么扩这么快？
高盛的关键假设：中芯国际在2026至2031年每年新增先进制程月产能3万至5万片，2031至2035年每年再增2万片。
良率（每批晶圆中合格芯片的比例）假设同样激进：从2026年的23%升到2030年的50%，2035年达到75%。
用大白话说＝ 现在每造100颗芯片只有23颗能用，高盛赌的是十年后能提高到75颗——这是整个预测能不能兑现的核心变量。
跟台积电比，差距有多大？
台积电7纳米芯片2018年开始量产，当前良率普遍超过90%。
即便中芯国际2035年达到75%的良率目标，仍比台积电今天的水平低15个百分点以上。
这意味着→ 产能数字在追赶，但每一片晶圆能产出的合格芯片数差距依然显著——量上来了，质还差一截。
为什么缺口不能归零？
高盛明确指出，光刻设备（在晶圆上"印"电路图案的核心机器）是制约中国半导体完全独立的结构性瓶颈。
无论产能扩张多快，没有顶级光刻机，制程天花板就在那里——这是2035年缺口仍维持34%而非归零的根本原因。
这反映出一个更深层的现实：中国半导体的追赶是"有天花板的追赶"，设备自主的突破节奏决定了天花板能抬多高。
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