铠侠拟在日本岩手新建NAND工厂，投资逾1万亿日元
Nashnova编辑部
铠侠计划在岩手县新建第三栋NAND闪存工厂，投资超1万亿日元（约62.7亿美元），与闪迪联合出资，目标2029年或更晚投产——日本存储芯片产能正加速本土扩张。
铠侠要建什么、花多少钱？
新工厂落址岩手县现有园区，是铠侠在该园区的第三栋厂房，专门量产NAND闪存（一种断电后数据不丢失的存储芯片，手机、数据中心都靠它长期存数据）。
投资规模超过1万亿日元（约62.7亿美元），由铠侠与美国闪迪（SanDisk）联合出资。
目标2029年或更晚投入运营，铠侠总裁太田洋夫今年6月在投资者说明会上确认讨论已启动。
钱从哪里来、政府什么角色？
铠侠已开始与部分设备制造商等供应商接洽采购，并预计向日本经济产业省申请补贴支持。
这意味着→ 这笔投资不完全靠企业自掏腰包，日本政府的半导体补贴体系是重要推力。
铠侠高管本周四将赴日本首相官邸正式宣布建设计划——选在首相官邸而非公司总部发布，信号很明确：这是国家级项目。
为什么现在扩产？
铠侠在全球NAND市场按价值排名第三，落后于韩国三星电子和SK海力士。
两家韩国对手已相继宣布大规模本土产能投资，铠侠如果不跟进，份额差距会进一步拉大。
这反映出 日本政府将芯片视为经济安全的战略性商品，推动半导体本土生产的政策方向与铠侠的商业需求在这一刻对齐了。
市场有风险，内容仅供研究参考，不构成投资建议。