大摩：长鑫存储2028年或超越美光，中国存储重塑全球竞争格局

Nashnova编辑部

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摩根士丹利最新研报预计长鑫存储（CXMT）2028年前后产能或超越美光，长江存储同期可能升至全球第二大NAND厂商——中国存储正从技术追赶转向规模重塑，全球存储行业的定价权与利润格局面临结构性改写。

长鑫存储凭什么可能超越美光？

大摩预计长鑫存储产能路径：2026年30万片/月 → 2028年50万片/月 → 2031年80万片/月。到2030年前后，其全球DRAM bit出货份额可能达到约15%。

技术上，长鑫已全面转向Gen 4B（约16纳米级制程），良率超过90%。但由于无法使用EUV光刻（用极紫外光刻电路的技术），仍依赖DUV（深紫外光刻）加多重图形化，掩膜版更多、工序更长，单位bit成本存在结构性劣势。

这意味着→ 长鑫走的是"先把量做到足够大，再追技术代差"的路径——不需要技术完全对等，只要增量产出够大，就能影响全球边际定价。

HBM（高带宽存储，AI芯片专用的高速内存）相对普通DRAM的bit产出惩罚，预计从2021—2023年的约2.5倍升至2028年的约3倍；HBM占领先制程晶圆消耗的比例，预计从2023年的约6%升至2028年的34%。

用大白话说＝三星、SK海力士、美光的最好产线都被HBM"吸走"了，留给普通DDR5和LPDDR5X的产能反而收缩——这恰好给长鑫腾出了主流市场的空间。

大摩调研认为，即便良率仍偏低，长鑫存储2027年仍可能生产约300万—400万颗HBM3E堆叠，足以支持约80万—100万颗中国本土AI GPU。即便纳入这一增量，大摩模型仍显示2026—2027年全球DRAM供给缺口达15%—17%。

长江存储（YMTC）每年新增约10万片/月产能，大摩预计其2028年前后可能成为全球第二大NAND厂商。

新建晶圆厂的设备及供应链国产化渗透率已接近60%，这反映出长江存储在主动降低对进口设备的依赖，以应对出口限制。

大摩判断：2028年之前，AI需求旺盛、HBM挤占产能、国产替代周期、产品认证流程，能够吸收相当一部分中国新增供给。

2028年起情况可能逆转：长鑫和长江存储规模足够大，叠加三大厂商自身史无前例的扩产，中国厂商或能直接影响全球定价，以及行业在下行周期中的供给响应。

这意味着→ 真正的风险不是"廉价中国DRAM"本身，而是行业从三个目标一致的玩家，变成四个战略目标不对称的玩家——长鑫的目标还包括国产替代、供应链韧性和半导体主权，下行周期中它的行为模式可能与三大厂商截然不同。

大摩总结三个关键影响：绝对资本开支需求更高、长期正常化回报更低、估值分化更大。

HBM和先进服务器DRAM仍集中于三星、SK海力士、美光；但中国在传统DRAM和NAND中的份额持续上升，高成本、低规模的厂商将最先承压。

用大白话说＝存储行业领导权曾从美国转向日本、再转向韩国，每一次都是"规模+竞争基础变化"的组合。大摩认为终极验证节点在于：长鑫若在先进服务器DRAM和HBM上具备可信竞争力，或长江存储获得广泛企业级SSD认证，中国就从争夺出货量池转向挑战利润池。

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