英伟达CMX明年NAND需求超1亿TB，三星锁定供货
Claire Weston
英伟达外置存储设备CMX预计明年NAND需求将从3500万TB激增至逾1亿TB，三星已率先供货并将六成V-NAND产能压向第九代产品线，NAND市场面临AI驱动的结构性供给收紧。
CMX是什么，为什么突然需要这么多闪存？
CMX全称"上下文内存存储"（Context Memory Storage，一种专为AI推理设计的外置存储设备），单台搭载576块固态硬盘，总容量达9600TB。
它的诞生源于AI推理中"键值缓存"（KV Cache，模型推理时产生的中间数据）急剧膨胀——模型越大、对话越长，需要暂存的数据量就越大。
这意味着→ CMX本质上是给AI大模型配的"外挂记忆仓库"，需求规模直接跟着AI部署量走。
1亿TB是什么概念？
业界预计CMX所需NAND容量将从今年约3500万TB激增至明年逾1亿TB，增幅近两倍。
独立分析师@jukan05指出，1亿TB大致相当于在NAND市场中新增一个苹果公司体量的需求来源。
用大白话说＝ NAND市场凭空多出一个"苹果级"买家，供给端压力可想而知。
三星怎么接住这个订单？
三星月产V-NAND晶圆能力已超10万张，今年NAND总产量预计约2.5亿TB。
三星已将V-NAND总产能的约60%配置于第九代产品（V9）生产线，V8占比降至40%以下。
英伟达在CMX出货前夕已向三星提出扩产要求，三星正积极响应，目标是锁定CMX核心供应商地位。
V9、V10、V11——三代产品同时推进意味着什么？
V9：产能占比已达60%，良率稳定在80%以上，是当前出货主力。
V10：今年上半年启动量产，目前占比不足5%，处于爬坡期；采用约400层堆叠，密度较V9的286层提升逾50%；首次大规模商用钼材料（一种金属，用来替代传统钨做芯片内部连线）替代钨配线，配线厚度可缩减30%至40%。
V11：今年初启动试产，目标400至500层堆叠，下半年试产规模将扩大一倍。
这意味着→ 三星用"量产一代、爬坡一代、试产一代"的节奏在赶工，但V10和V11短期内无法大规模放量。
普通消费者会受什么影响？
三星将大比例产能锁定英伟达等大客户，面向消费者的NAND供给将被明显挤压，存储价格面临上行压力。
此前AI热潮已率先引发DRAM短缺并推高价格，NAND市场正重复同样的供给收紧逻辑。
V11加速研发理论上可为消费级市场提供缓解空间，但就目前产能配置方向，这一前景尚难乐观。
接下来看什么？
三星董事长李在镕预计近期将在旧金山与英伟达CEO黄仁勋会面，议题涵盖HBM（高带宽内存）及下一代NAND供应安排，以及在韩国全南光州等地建设数据中心的合作方案。
三星2026年利润预计将超过过去40年累计盈利总和，主要得益于AI服务器存储需求的结构性扩张。
这反映出 NAND供给向AI服务器端集中已成趋势，V11量产前能否缓解，是判断存储市场价格走势的关键验证节点。
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