三星押注zHBM，目标性能超HBM5八倍
nashnova research
三星披露zHBM垂直堆叠架构，将内存直接叠在AI加速器正上方，目标性能达HBM5的八倍、每瓦性能提升最高三倍——这意味着三星正从「做更快的内存」转向「重新设计内存在系统里的位置」。
zHBM到底在解决什么问题？
现在的HBM（高带宽内存，AI芯片旁边那块负责喂数据的模块）是平放在加速器旁边的，数据要走一段横向路径才能到达处理器——这段路既耗电又限制带宽上限。
三星的zHBM把内存直接叠到加速器正上方，数据垂直传输，路径大幅缩短。用大白话说＝从「隔壁房间递文件」变成了「楼上直接扔下来」。
这意味着→ 带宽上限和能耗瓶颈同时被改善：三星给出的目标是性能约为HBM5的八倍，每瓦性能最高提升三倍，热阻降低逾50%。
三星打算怎么造出来？
制造工艺的核心是晶圆对晶圆集成（把两片完整晶圆直接对准贴合）加混合铜键合（用铜柱把上下两层的电路直接焊在一起），实现更密、更短的互连。
内存叠到加速器上方后，不同加速器对带宽、容量、散热的要求各不相同，这意味着→ 内存不能再是「一款通用产品」，而必须跟加速器协同定制。
zHBM架构还允许在内存与加速器之间的中间层嵌入定制IP，按需扩展容量或针对特定工作负载做优化——这反映出三星想把zHBM做成一个可配置的平台，而不仅仅是一颗芯片。
zNAND-O又是什么角色？
三星同步推进的zNAND-O是一种高性能NAND架构，定位在DRAM和传统NAND存储之间——用大白话说＝速度接近内存、容量接近硬盘、成本远低于DRAM。
三星估算，到2030年工作站级系统普遍运行约1万亿参数模型时，若全用DRAM供给，成本极高；引入zNAND-O可将内存成本降至纯DRAM方案的约六分之一。
目标规格：读取延迟低于3微秒，带宽高于200 GB/s，功耗在该带宽下低于10瓦，计划2028年开始样品供应。
两条产品线拼在一起，三星想说什么？
zHBM解决的是速度和能效——把最快的内存贴到处理器头顶；zNAND-O解决的是容量和成本——把大块数据放到便宜但够快的层级。这意味着→ 两者合在一起，构成一套按「数据离处理器多远」分层的内存体系。
这反映出三星内存战略的整体转向：单纯靠堆叠更多HBM层来提升性能的空间正在收窄，三星把重心转移到了内存放在哪里、跟计算怎么集成、数据怎么在层级间分布。
关键节点：zHBM能否如期推进至量产，将直接验证这条架构路线的商业可行性。
系统级目标：每用户每秒1000 token意味着什么？
三星副总裁金仁东在AI基础设施峰会上提出的系统目标是：将AI系统响应吞吐量从每用户每秒约100个token提升至1000个token。
用大白话说＝现在大模型回答一个问题的速度，三星希望快十倍——这不是单靠芯片能做到的，必须内存、封装、架构一起动。
这意味着→ zHBM和zNAND-O不是孤立的内存产品升级，而是三星为实现这个系统级性能目标所设计的基础设施方案。
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