三星推迟High-NA EUV量产至1nm节点，约2030年落地
Nashnova编辑部
三星将High-NA EUV光刻的量产时间从原定2nm节点推迟至1nm级、约2030年，且届时仍与传统EUV并行而非全面替换——三大晶圆厂的路线分化，正在重塑这项单台4亿美元设备的普及节奏。
推迟到什么时候、推迟了多少？
三星原计划在2nm和1.4nm节点引入High-NA EUV，现在推迟到A10及以下节点（即1nm级），预计约2030年才量产。
三星研究员朴昌民在2026年8月11日NGL 2026大会上披露了这一路线图调整，原因是相关技术工作尚未完成。
这意味着→ 三星的High-NA时间表比英特尔晚了约4年，比自己此前的计划也推迟了至少一代节点。
"引入"不等于"全面替换"——这句话为什么重要？
三星明确：即使到了1nm节点，传统EUV（数值孔径0.33）的多重曝光仍是主流图案化方案，High-NA只是部分层次导入。
用大白话说＝ High-NA EUV把"镜头"从0.33放大到0.55，理论上能少刻几次就刻出更细的线路——但三星认为现在还不能靠它扛全场。
核心瓶颈不只是光刻机本身：单台设备约4亿美元（传统EUV的两倍），配套的掩膜版、防护膜等支撑技术也尚未成熟。
英特尔和台积电走的是什么路？
英特尔已经率先量产：在Intel 18A工艺上用High-NA EUV出货了部分"Panther Lake"酷睿Ultra 3处理器，是全球首家以该技术出货高量逻辑产品的企业。
台积电选择第三条路径：继续挖掘传统EUV的扩展潜力，不急于转向High-NA。副联席COO张晓强表示，在维持激进缩放路线图的同时充分利用现有EUV技术，是台积电研发组织的核心优势。
台积电迄今未公开披露哪一节点将首次使用High-NA。
三条路线分化，对市场意味着什么？
三大晶圆厂路线各异：英特尔已量产、三星推迟到2030年、台积电按兵不动——这意味着→ High-NA EUV的实际普及节奏远慢于设备商的预期。
这反映出 一个更深层的信号：当单台设备贵到4亿美元、配套技术又没跟上时，"更先进"不等于"更经济"，晶圆厂会用脚投票。
对设备供应商ASML而言，三家客户的分化直接影响其High-NA订单结构和出货时间表——需求确定性正在下降。
Content is for reference only, not financial advice.