三星推迟High-NA EUV至2030年，SK海力士同步扩展路线图
Nashnova编辑部
三星将High-NA EUV光刻量产推迟至2030年配合1纳米制程，较原计划明显滞后；SK海力士则提前引入设备并启动研发，两家韩国巨头的路线分歧折射出这项技术商业化的深层不确定性。
High-NA EUV是什么，三星为什么要推迟？
High-NA EUV（一种把光刻镜头"放大"的新一代芯片曝光技术，能刻出更细的电路）将数值孔径从0.33提升到0.55，分辨率更高，有望减少重复曝光步骤。
三星原计划在2纳米和1.4纳米节点就用上它，但配套材料（掩模版、防护膜）开发难度太大，两个节点都没能如期落地。
这意味着→ High-NA EUV的量产首秀要等到2030年前后，届时才随1纳米制程一起导入。用大白话说＝ 机器早就造好了，但"耗材"跟不上，整条线就开不了工。
三星的量产节奏现在是什么样？
2纳米制程已完成商业化，是当前最先进的在产节点。
1.4纳米（SF1.4）计划2029年启动量产，增强版SF1.4+和1纳米制程预计2030年跟进。
High-NA EUV的时间线与1纳米对齐——这反映出三星把这项技术定位为"亚1纳米时代的入场券"，而非当下制程的提速工具。
台积电怎么看这件事？
台积电2025年曾明确表态：其A14制程及后续增强版本不需要High-NA EUV也能生产。
台积电的态度是"只有当它能带来可量化的收益时才会采用"。
这意味着→ 全球最大的两家逻辑芯片代工厂（三星+台积电）都在对High-NA EUV踩刹车，说明这不是单一厂商的问题，而是整个行业的技术成熟度不够。
SK海力士为什么反而在加速？
SK海力士2025年下半年已引入High-NA EUV设备，计划2026年启动研发——比三星的量产时间表早了好几年。
同时，SK海力士开始采用相移掩模（PSM）技术（一种利用光的相位差来提升曝光清晰度的方法），先把现有EUV的性能榨干。
用大白话说＝ SK海力士的策略是"一边用老技术的升级版顶住，一边抢先摸索新技术"，和三星"等配套成熟再上"的思路截然不同。
这场分歧说明了什么？
三星推迟 + 台积电观望 = 行业共识是High-NA EUV还没准备好量产，瓶颈在材料和工艺，不在设备本身。
SK海力士提前布局的赌注在于：如果配套材料比预期更快成熟，它就能抢到制程领先优势。
这反映出一个更深的信号：ASML的设备已出货多年，但从"能用"到"能量产赚钱"之间的距离，远比市场最初预期的要长。
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