三星申请zHBF商标，布局NAND高带宽存储新赛道
Nashnova编辑部
三星电子申请zHBF商标并将其列入公开技术路线图，正式进入基于NAND的高带宽闪存赛道——这条赛道被视为HBM的容量补充层，SK海力士与闪迪已率先推动标准化。
HBF到底是什么，为什么现在冒出来？
HBF（高带宽闪存，一种用NAND闪存芯片堆叠出来的高速大容量存储）定位在HBM与传统固态硬盘之间，是一个全新的存储层级。
这意味着→ AI推理需要的数据量越来越大，光靠HBM（速度快但容量小、价格贵）已经喂不饱处理器，需要一层容量更大、带宽也够用的存储来补位。
用大白话说＝ HBM是"小而快的水杯"，HBF是"大而够快的水桶"——AI推理需要两个都有。
标准化走到哪了，谁在主导？
SK海力士与闪迪通过开放计算项目（OCP）率先推进HBF规范，首份技术规格已于2026年8月3日发布，谷歌和AI芯片商Tenstorrent参与制定。
该规范定义了8层和16层两种NAND堆叠配置，容量最高512GB，带宽分三档、范围约0.4TB/s至3.0TB/s，接口采用UCIe（通用小芯片互联快速接口，让不同芯片之间高速对话的标准插口）。
闪迪计划2026年下半年提供首批HBF样品，搭载HBF的AI推理设备样品预计2027年初推出。
三星的zHBF是什么来头？
三星近期申请zHBF商标，紧随其在FMS 2026上发布的zHBM和zNAND-O概念模型之后。这意味着→ 三星正在构建一套"z系列"存储家族，覆盖从内存到闪存的多个层级。
zHBM的思路是把HBM垂直堆叠在AI加速器正上方，缩短数据搬运距离；zNAND-O是下一代高性能NAND架构，目前有四层和八层版本在研发。
但三星尚未说明zHBF是否沿用zHBM的垂直堆叠方案，也未确认它与zNAND-O的技术关联——架构细节仍是空白。
9月1日的演讲能揭开多少？
SEMICON Taiwan 2026议程显示，三星存储产品规划负责人崔章锡将于9月1日演讲，题目为"以3D集成赋能AI时代"，明确列出zHBM、zHBF及3D封装三项核心技术。
这是zHBF首次出现在三星公开技术路线图中。
但三星与主办方均未承诺届时会公开多少技术深度——架构设计、性能参数和商业化时间表目前全部未披露。
竞争格局怎么看？
SK海力士与闪迪凭借OCP标准制定，在HBF赛道上已建立先发优势。
三星的关键问题是：zHBF能否在规格和生态上形成差异化，还是只能追赶已有标准。
这反映出存储行业正从"HBM一条腿走路"转向多层级并行的新格局——谁先把HBF做成可量产方案，谁就拿下AI推理存储的下一张门票。
市场有风险，内容仅供研究参考，不构成投资建议。