长江存储逼近SK海力士NAND份额，长鑫存储引入高介电材料
nashnova research
长江存储NAND收入份额升至16.2%，与SK海力士的16.4%几乎持平；长鑫存储将高介电金属栅极技术引入最新DRAM——中国存储芯片的竞争已从扩产量转向拼制程和材料。
长江存储的NAND份额是怎么追上来的？
2026年Q1，长江存储NAND收入份额从上季度的11.5%升至16.2%；同期SK海力士（含Solidigm）从21.4%降至16.4%，两者几乎持平。
关键差距在制程代际：长江存储68%的产出基于232层产品，而SK海力士约50%仍停留在176层。这意味着→ 长江存储的主力产品比SK海力士领先了整整一代。
用大白话说＝ 更先进的制程同时意味着更低的生产成本和更高的售价，制程落后会被价格和利润率双重挤压。
SK海力士为什么在NAND上掉队了？
SK海力士连续三年压缩NAND资本支出：2023年35亿美元 → 2024年30亿美元 → 2025年29亿美元，资源持续向DRAM和HBM（高带宽内存，专为AI芯片供数据的超快内存）倾斜。
这反映出一个战略取舍——SK海力士把赌注押在AI驱动的HBM需求上，但代价是NAND制程迁移明显滞后。
三星和美光的节奏快得多：三星超60%产出已转向236层，美光232层占53%、276层已占33%。
其他NAND厂商处在什么位置？
铠侠与闪迪仍保留大量旧制程产能，Q2产出中162层和112层合计约占70%。
但追赶速度在加快：218层产品占比从2025年Q4的9%升至Q2的24%，两个季度近乎翻三倍。
这意味着→ 整个行业都在向200层以上迁移，SK海力士的制程滞后不是"暂时慢一步"，而是被多家对手同时拉开差距。
长鑫存储引入高介电材料意味着什么？
据TechInsights报告，长鑫存储已在G4（16纳米级）制程及LPDDR5X产品中引入HKMG技术（高介电金属栅极——一种用特殊绝缘材料减少漏电、让晶体管在同样电压下存更多电荷的工艺）。
DDR5和LPDDR5已实现量产。三星、SK海力士、美光均已采用HKMG——长鑫存储引入这项技术，标志着它从"扩产能"进入了"升级材料和晶体管结构"的阶段。
用大白话说＝ 以前是比谁建的工厂多，现在是比谁用的材料和工艺更先进。
长鑫存储的HBM进展到哪一步了？
长鑫存储正以G3（18纳米级）制程推进HBM2E风险量产，基于G4制程的HBM3正在客户送样。
TechInsights估计长鑫存储仍落后领先厂商约两代，但G5（15纳米级）制程已在研发中。
这反映出中国DRAM的追赶路径：一边缩小现有代差，一边必须跟上三星和SK海力士正在推进的4F²和三维DRAM（把存储单元从平面排列变成立体堆叠的下一代架构）——能否同时做到这两件事，将决定中国DRAM竞争力的天花板。
市场有风险，内容仅供研究参考，不构成投资建议。