蔡司：EUV缺口制约中国芯片追赶
Miles Bennett
德国光学巨头蔡司两位高管明确表态：中国芯片制造商试图用先进封装和多重曝光绕开EUV光刻的路径存在根本性局限，制程差距短期内难以靠替代方案抹平。
中国制程到底落后多少？
蔡司SMT首席执行官罗蒙德称，业界普遍评估中国先进制程约在7纳米水平。
全球前沿已从3纳米向2纳米推进，并在准备下一代A14节点。
这意味着→ 中国与最前沿之间至少隔了两到三个完整世代，且差距还在拉大。
不用EUV，多重曝光能凑合吗？
理论上，多重曝光（把同一块芯片反复光刻多次来画更细的线）可尝试接近5纳米级。
但代价是成本大幅上升、良率下降，商业竞争力被削弱。
用大白话说＝ 能不能做出来是一回事，能不能卖得过别人是另一回事——多重曝光做出来的芯片太贵、废品率太高。
罗蒙德补充：若政府提供大规模长期补贴，部分路径或仍可行，但这种模式长期无法与主流竞争。
先进封装能替代EUV吗？
蔡司首席技术官施塔姆勒明确表态：先进封装（把多块芯片像搭积木一样组合在一起）与制程微缩不是替代关系，而是互补关系。
用较成熟的制程节点再通过封装集成，系统性能确实能提升——但更大的晶体管意味着消耗更多硅片、功耗更高、封装成本上升。
这意味着→ 封装能补一部分分，但补不了根本分——每个晶体管本身的效率差距，封装解决不了。
蔡司自己的立场是什么？
罗蒙德确认，蔡司与ASML均无法向中国出口EUV相关技术或设备，公司严格遵守出口管制。
这反映出 EUV供应链的封锁不只是ASML一家的事——蔡司作为EUV光学系统的核心供应商，同样被纳入管制体系。
未来芯片竞争的底牌是什么？
施塔姆勒判断：AI芯片性能的未来提升将同时依赖制程微缩与系统级创新，两条腿缺一不可。
但这些新技术无法完全替代EUV或下一代High-NA EUV（更高精度的新一代极紫外光刻）的优势。
用大白话说＝ 在AI时代，半导体竞争的本质仍是谁的光刻更先进——EUV与High-NA EUV就是这场竞赛的入场券。
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